BTB9050N3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTB9050N3

Código: LL

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 500 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23

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BTB9050N3 datasheet

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BTB9050N3

Spec. No. C619N3 Issued Date 2012.08.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9050N3 Description High breakdown voltage. (BV =-500V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.13V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Complementary to BTNA45N3 Pb-free package Symbol Outline SOT-23 BTB9050N

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