Справочник транзисторов. BTB9050N3

 

Биполярный транзистор BTB9050N3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTB9050N3
   Маркировка: LL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB9050N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  cystek
 btb9050n3.pdf pdf_icon

BTB9050N3

Spec. No. : C619N3 Issued Date : 2012.08.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9050N3Description High breakdown voltage. (BV =-500V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.13V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Complementary to BTNA45N3 Pb-free package Symbol Outline SOT-23 BTB9050N

Другие транзисторы... BTB1580M3 , BTB1590N3 , BTB4110D3 , BTB4511J3 , BTB5140N3 , BTB5213L3 , BTB5240N3 , BTB5839M3 , A1941 , BTB9435J3 , BTB9435L3 , BTC945A3 , BTC1510E3 , BTC1510F3 , BTC1510FP , BTC1510I3 , BTC1510J3 .

 

 
Back to Top

 


 
.