BTB9050N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB9050N3

Маркировка: LL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTB9050N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB9050N3 даташит

 ..1. Size:271K  cystek
 btb9050n3.pdf pdf_icon

BTB9050N3

Spec. No. C619N3 Issued Date 2012.08.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9050N3 Description High breakdown voltage. (BV =-500V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.13V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Complementary to BTNA45N3 Pb-free package Symbol Outline SOT-23 BTB9050N

Другие транзисторы: BTB1580M3, BTB1590N3, BTB4110D3, BTB4511J3, BTB5140N3, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, D882, BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3, BTC1510E3, BTC1510F3, BTC1510FP, BTC1510I3, BTC1510J3