Справочник транзисторов. BTB9050N3

 

Биполярный транзистор BTB9050N3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTB9050N3
   Маркировка: LL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BTB9050N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  cystek
 btb9050n3.pdf pdf_icon

BTB9050N3

Spec. No. : C619N3 Issued Date : 2012.08.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9050N3Description High breakdown voltage. (BV =-500V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.13V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Complementary to BTNA45N3 Pb-free package Symbol Outline SOT-23 BTB9050N

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: KT371AM

 

 
Back to Top

 


 
.