BTB9435J3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTB9435J3

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: TO252

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BTB9435J3 datasheet

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BTB9435J3

Spec. No. C809J3 Issued Date 2008.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.25 Page 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435J3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-252 BTB9435J3 (DPAK) B Base B C E C Collector E Emitter O

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BTB9435J3

Spec. No. C809L3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2009.01.16 Revised Date Page 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435L3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTB9435L3 SOT-223 C E C B Base B C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) P

Otros transistores... BTB1590N3, BTB4110D3, BTB4511J3, BTB5140N3, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BC557, BTB9435L3, BTC945A3, BTC1510E3, BTC1510F3, BTC1510FP, BTC1510I3, BTC1510J3, BTC1510T3