Биполярный транзистор BTB9435J3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB9435J3
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для BTB9435J3
BTB9435J3 Datasheet (PDF)
btb9435j3.pdf
Spec. No. : C809J3 Issued Date : 2008.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date: 2014.03.25 Page:1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435J3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-252 BTB9435J3(DPAK) BBase B C E CCollector EEmitter O
btb9435l3.pdf
Spec. No. : C809L3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2009.01.16 Revised Date: Page:1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435L3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTB9435L3SOT-223 C E C BBase B CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) P
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050