BTB9435J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB9435J3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для BTB9435J3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB9435J3 даташит

 ..1. Size:355K  cystek
 btb9435j3.pdf pdf_icon

BTB9435J3

Spec. No. C809J3 Issued Date 2008.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.25 Page 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435J3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-252 BTB9435J3 (DPAK) B Base B C E C Collector E Emitter O

 7.1. Size:259K  cystek
 btb9435l3.pdf pdf_icon

BTB9435J3

Spec. No. C809L3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2009.01.16 Revised Date Page 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB9435L3 Features Low VCE(sat) Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTB9435L3 SOT-223 C E C B Base B C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) P

Другие транзисторы: BTB1590N3, BTB4110D3, BTB4511J3, BTB5140N3, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BC557, BTB9435L3, BTC945A3, BTC1510E3, BTC1510F3, BTC1510FP, BTC1510I3, BTC1510J3, BTC1510T3