BTC2655K3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTC2655K3  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO92L

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BTC2655K3 datasheet

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BTC2655K3

Spec. No. C602K3 Issued Date 2011.12.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60V BTC2655K3 IC 2A RCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 60V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating packa

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BTC2655K3

Spec. No. C602S3 Issued Date 2012.04.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 50V BTC2655S3 IC 2A RCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 50V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating package Symbo

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