BTC2655K3 Todos los transistores

 

BTC2655K3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC2655K3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO92L

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BTC2655K3

 

BTC2655K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  cystek
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BTC2655K3

Spec. No. C602K3 Issued Date 2011.12.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.25 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60V BTC2655K3 IC 2A RCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 60V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating packa

 7.1. Size:261K  cystek
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BTC2655K3

Spec. No. C602S3 Issued Date 2012.04.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 50V BTC2655S3 IC 2A RCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 50V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating package Symbo

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History: 2SD1513 | MJD112-1G | RN2312 | BDX53H | BUT21A | HA5011 | BUS132

 

 
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