BTC3097T3 Todos los transistores

 

BTC3097T3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC3097T3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 24
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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BTC3097T3 Datasheet (PDF)

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BTC3097T3

Spec. No. : C6633 Issued Date : 2012.01.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3097T3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3097T3TO-126 BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)

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History: RCA31SDH | CSC1187O | NS731A | BF288 | CSC1187R | DWA401 | 2SC5245

 

 
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