BTC3097T3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTC3097T3

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 1600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 800 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 24

Encapsulados: TO126

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BTC3097T3 datasheet

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BTC3097T3

Spec. No. C6633 Issued Date 2012.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3097T3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3097T3 TO-126 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C)

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