BTC3097T3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC3097T3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 24

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BTC3097T3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC3097T3 даташит

 ..1. Size:239K  cystek
 btc3097t3.pdf pdf_icon

BTC3097T3

Spec. No. C6633 Issued Date 2012.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3097T3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3097T3 TO-126 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C)

Другие транзисторы: BTC2880M3G, BTC2881E3, BTC2881FP, BTC2881J3, BTC2881L3, BTC2881M3, BTC2882J3, BTC2883J3, 8550, BTC3149E3, BTC3356N3, BTC3415A3, BTC3838N3, BTC3906L3, BTC3906M3, BTC3906N3, BTC3906N3G