BTC3149E3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTC3149E3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 1600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 24
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BTC3149E3
BTC3149E3 Datasheet (PDF)
btc3149e3.pdf
Spec. No. : C663E3 Issued Date : 2012.02.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3149E3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3149E3TO-220 BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050