BTC3149E3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTC3149E3

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 1600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 800 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 24

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de BTC3149E3

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BTC3149E3 datasheet

 ..1. Size:229K  cystek
 btc3149e3.pdf pdf_icon

BTC3149E3

Spec. No. C663E3 Issued Date 2012.02.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3149E3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3149E3 TO-220 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C)

Otros transistores... BTC2881E3, BTC2881FP, BTC2881J3, BTC2881L3, BTC2881M3, BTC2882J3, BTC2883J3, BTC3097T3, 9014, BTC3356N3, BTC3415A3, BTC3838N3, BTC3906L3, BTC3906M3, BTC3906N3, BTC3906N3G, BTC3906S3