BTC3149E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC3149E3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 24

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BTC3149E3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC3149E3 даташит

 ..1. Size:229K  cystek
 btc3149e3.pdf pdf_icon

BTC3149E3

Spec. No. C663E3 Issued Date 2012.02.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3149E3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3149E3 TO-220 B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C)

Другие транзисторы: BTC2881E3, BTC2881FP, BTC2881J3, BTC2881L3, BTC2881M3, BTC2882J3, BTC2883J3, BTC3097T3, 9014, BTC3356N3, BTC3415A3, BTC3838N3, BTC3906L3, BTC3906M3, BTC3906N3, BTC3906N3G, BTC3906S3