Биполярный транзистор BTC3149E3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC3149E3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 24
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BTC3149E3
BTC3149E3 Datasheet (PDF)
..1. Size:229K cystek
btc3149e3.pdf
btc3149e3.pdf
Spec. No. : C663E3 Issued Date : 2012.02.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3149E3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3149E3TO-220 BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
