Справочник транзисторов. BTC3149E3

 

Биполярный транзистор BTC3149E3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTC3149E3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 24
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BTC3149E3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC3149E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  cystek
 btc3149e3.pdf pdf_icon

BTC3149E3

Spec. No. : C663E3 Issued Date : 2012.02.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3149E3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3149E3TO-220 BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)

Другие транзисторы... BTC2881E3 , BTC2881FP , BTC2881J3 , BTC2881L3 , BTC2881M3 , BTC2882J3 , BTC2883J3 , BTC3097T3 , C3198 , BTC3356N3 , BTC3415A3 , BTC3838N3 , BTC3906L3 , BTC3906M3 , BTC3906N3 , BTC3906N3G , BTC3906S3 .

History: 2SC1124-1

 

 
Back to Top

 


 
.