Справочник транзисторов. BTC3149E3

 

Биполярный транзистор BTC3149E3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BTC3149E3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 24
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BTC3149E3

 

 

BTC3149E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  cystek
btc3149e3.pdf

BTC3149E3
BTC3149E3

Spec. No. : C663E3 Issued Date : 2012.02.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Voltage NPN Triple Diffused Planar Transistor BTC3149E3 Features High voltage, BVCBO=1600V min., BVCEO=800V min. Pb-free lead plating package Symbol Outline BTC3149E3TO-220 BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top