BTC3356N3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTC3356N3

Código: CK

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 6500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT23

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BTC3356N3 datasheet

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BTC3356N3

Spec. No. C622N3 Issued Date 2013.03.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.04.09 Page No. 1/7 Microwave Low Noise Amplifier NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor BTC3356N3 Description The BTC3356N3 is a NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Low Cre. Typ. Cob=0.6pF Pb-free and halogen-fre

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