BTC3356N3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTC3356N3
Código: CK
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 6500 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT23
- Selección de transistores por parámetros
BTC3356N3 Datasheet (PDF)
btc3356n3.pdf

Spec. No. : C622N3 Issued Date : 2013.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.04.09 Page No. : 1/7 Microwave Low Noise Amplifier NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor BTC3356N3Description The BTC3356N3 is a NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Low Cre. Typ. Cob=0.6pF Pb-free and halogen-fre
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: NB321H | ED1702K | DTA114YM | BU931ZP | BF460EA | ESM2894 | 2SD1074
History: NB321H | ED1702K | DTA114YM | BU931ZP | BF460EA | ESM2894 | 2SD1074



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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