BTC3356N3 Todos los transistores

 

BTC3356N3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC3356N3
   Código: CK
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 6500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BTC3356N3 Datasheet (PDF)

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BTC3356N3

Spec. No. : C622N3 Issued Date : 2013.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.04.09 Page No. : 1/7 Microwave Low Noise Amplifier NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor BTC3356N3Description The BTC3356N3 is a NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Low Cre. Typ. Cob=0.6pF Pb-free and halogen-fre

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History: BTC2883J3 | DRCQA52Z | PH1214-25L | 2SC3327B | MMCM2221

 

 
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