BTC3356N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC3356N3

Маркировка: CK

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTC3356N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC3356N3 даташит

 ..1. Size:265K  cystek
 btc3356n3.pdf pdf_icon

BTC3356N3

Spec. No. C622N3 Issued Date 2013.03.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.04.09 Page No. 1/7 Microwave Low Noise Amplifier NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor BTC3356N3 Description The BTC3356N3 is a NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Low Cre. Typ. Cob=0.6pF Pb-free and halogen-fre

Другие транзисторы: BTC2881FP, BTC2881J3, BTC2881L3, BTC2881M3, BTC2882J3, BTC2883J3, BTC3097T3, BTC3149E3, TIP42, BTC3415A3, BTC3838N3, BTC3906L3, BTC3906M3, BTC3906N3, BTC3906N3G, BTC3906S3, BTC4061N3