Биполярный транзистор BTC3356N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC3356N3
Маркировка: CK
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BTC3356N3
BTC3356N3 Datasheet (PDF)
..1. Size:265K cystek
btc3356n3.pdf
btc3356n3.pdf
Spec. No. : C622N3 Issued Date : 2013.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.04.09 Page No. : 1/7 Microwave Low Noise Amplifier NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor BTC3356N3Description The BTC3356N3 is a NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Low Cre. Typ. Cob=0.6pF Pb-free and halogen-fre
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
