BTC5095S3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTC5095S3

Código: TE

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT323

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BTC5095S3 datasheet

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BTC5095S3

Spec. No. C212S3 Issued Date 2003.08.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.25 Page No. 1/ 11 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5095S3 Description The BTC5095S3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline BTC5095S3 SOT-323 B Base C Collector E Emitter Features

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BTC5095S3

Spec. No. C212N3 Issued Date 2002.05.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.03.14 Page No. 1/8 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5094N3 Description The BTC5094N3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline BTC5094N3 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Features

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