BTC5095S3 Todos los transistores

 

BTC5095S3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC5095S3
   Código: TE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 18 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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BTC5095S3 Datasheet (PDF)

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BTC5095S3

Spec. No. : C212S3 Issued Date : 2003.08.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.25 Page No. : 1/ 11 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5095S3 Description The BTC5095S3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline BTC5095S3 SOT-323 BBase CCollector EEmitter Features

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BTC5095S3

Spec. No. : C212N3 Issued Date : 2002.05.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2006.03.14 Page No. : 1/8 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5094N3 Description The BTC5094N3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline BTC5094N3 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Features

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