Справочник транзисторов. BTC5095S3

 

Биполярный транзистор BTC5095S3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTC5095S3
   Маркировка: TE
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BTC5095S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  cystek
 btc5095s3.pdf pdf_icon

BTC5095S3

Spec. No. : C212S3 Issued Date : 2003.08.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.25 Page No. : 1/ 11 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5095S3 Description The BTC5095S3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline BTC5095S3 SOT-323 BBase CCollector EEmitter Features

 8.1. Size:176K  cystek
 btc5094n3.pdf pdf_icon

BTC5095S3

Spec. No. : C212N3 Issued Date : 2002.05.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2006.03.14 Page No. : 1/8 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5094N3 Description The BTC5094N3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline BTC5094N3 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Features

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.