BTC5181WC3 Todos los transistores

 

BTC5181WC3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC5181WC3
   Código: T1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
   Tensión colector-base (Vcb): 5 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 3 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 12000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

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BTC5181WC3 datasheet

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BTC5181WC3

Spec. No. C213WC3 Issued Date 2003.08.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/3 High Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5181WC3 Description The BTC5181WC3 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol Outline SOT-523 BTC5181WC3 B Base C Collector E Emitter Features

 9.1. Size:213K  cystek
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BTC5181WC3

Spec. No. C651I3 Issued Date 2005.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/5 High Speed Switching Transistor BVCEO 60V IC 5A BTC5103I3 RCESAT 110m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.33 V(typical), at IC / IB = 3A / 0.3A High Switching Speed Wide SOA Complementary to BTA1952I3 RoHS compliant package Symbol Outline

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