Справочник транзисторов. BTC5181WC3

 

Биполярный транзистор BTC5181WC3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTC5181WC3
   Маркировка: T1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT523
 

 Аналог (замена) для BTC5181WC3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC5181WC3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  cystek
 btc5181wc3.pdf pdf_icon

BTC5181WC3

Spec. No. : C213WC3 Issued Date : 2003.08.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/3 High Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5181WC3 Description The BTC5181WC3 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol Outline SOT-523 BTC5181WC3 BBase CCollector EEmitter Features

 9.1. Size:213K  cystek
 btc5103i3.pdf pdf_icon

BTC5181WC3

Spec. No. : C651I3 Issued Date : 2005.10.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/5 High Speed Switching Transistor BVCEO 60VIC 5ABTC5103I3 RCESAT 110m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.33 V(typical), at IC / IB = 3A / 0.3A High Switching Speed Wide SOA Complementary to BTA1952I3 RoHS compliant package Symbol Outline

Другие транзисторы... BTC4505M3 , BTC4505N3 , BTC4617C3 , BTC4620D3 , BTC4672M3 , BTC5094N3 , BTC5095S3 , BTC5103I3 , 2SC828 , BTC5658Y3 , BTC5706A3 , BTC5706I3 , BTC5706J3 , BTC9013A3 , BTC9014A3 , BTD142F3 , BTD882AM3 .

History: FCX591 | NSVMMUN2212LT1G | MPS4126

 

 
Back to Top

 


 
.