BTC5181WC3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTC5181WC3

Маркировка: T1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT523

 Аналоги (замена) для BTC5181WC3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTC5181WC3 даташит

 ..1. Size:158K  cystek
 btc5181wc3.pdf pdf_icon

BTC5181WC3

Spec. No. C213WC3 Issued Date 2003.08.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/3 High Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5181WC3 Description The BTC5181WC3 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol Outline SOT-523 BTC5181WC3 B Base C Collector E Emitter Features

 9.1. Size:213K  cystek
 btc5103i3.pdf pdf_icon

BTC5181WC3

Spec. No. C651I3 Issued Date 2005.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/5 High Speed Switching Transistor BVCEO 60V IC 5A BTC5103I3 RCESAT 110m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.33 V(typical), at IC / IB = 3A / 0.3A High Switching Speed Wide SOA Complementary to BTA1952I3 RoHS compliant package Symbol Outline

Другие транзисторы: BTC4505M3, BTC4505N3, BTC4617C3, BTC4620D3, BTC4672M3, BTC5094N3, BTC5095S3, BTC5103I3, 2SC2383, BTC5658Y3, BTC5706A3, BTC5706I3, BTC5706J3, BTC9013A3, BTC9014A3, BTD142F3, BTD882AM3