BTD1980J3 Todos los transistores

 

BTD1980J3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTD1980J3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 130 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO-252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BTD1980J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  cystek
 btd1980j3.pdf pdf_icon

BTD1980J3

Spec. No. : C654J3 Issued Date : 2004.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2209.02.04 Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 120VBTD1980J3 IC 4ARCESAT 600m Description The BTD1980J3 is a NPN Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Equivalent Circuit Outline BTD1980J3 TO-252 C

Otros transistores... BTD1857AJ3G , BTD1857AL3 , BTD1857AM3 , BTD1857AT3 , BTD1858A3 , BTD1858I3 , BTD1858T3 , BTD1864I3 , TIP31C , BTD2040N3S , BTD2057A3 , BTD2061FP , BTD2098AM3 , BTD2098LN3 , BTD2098M3 , BTD2114N3 , BTD2118LJ3 .

 

 
Back to Top

 


 
.