BTD1980J3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTD1980J3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 130 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 500
Encapsulados: TO-252
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BTD1980J3 datasheet
btd1980j3.pdf
Spec. No. C654J3 Issued Date 2004.03.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2209.02.04 Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 120V BTD1980J3 IC 4A RCESAT 600m Description The BTD1980J3 is a NPN Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Equivalent Circuit Outline BTD1980J3 TO-252 C
Otros transistores... BTD1857AJ3G , BTD1857AL3 , BTD1857AM3 , BTD1857AT3 , BTD1858A3 , BTD1858I3 , BTD1858T3 , BTD1864I3 , A733 , BTD2040N3S , BTD2057A3 , BTD2061FP , BTD2098AM3 , BTD2098LN3 , BTD2098M3 , BTD2114N3 , BTD2118LJ3 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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