BTD1980J3 - описание и поиск аналогов

 

BTD1980J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTD1980J3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для BTD1980J3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD1980J3 даташит

 ..1. Size:230K  cystek
 btd1980j3.pdf pdf_icon

BTD1980J3

Spec. No. C654J3 Issued Date 2004.03.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2209.02.04 Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 120V BTD1980J3 IC 4A RCESAT 600m Description The BTD1980J3 is a NPN Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Equivalent Circuit Outline BTD1980J3 TO-252 C

Другие транзисторы: BTD1857AJ3G, BTD1857AL3, BTD1857AM3, BTD1857AT3, BTD1858A3, BTD1858I3, BTD1858T3, BTD1864I3, A733, BTD2040N3S, BTD2057A3, BTD2061FP, BTD2098AM3, BTD2098LN3, BTD2098M3, BTD2114N3, BTD2118LJ3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.