Биполярный транзистор BTD1980J3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD1980J3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: TO-252
Аналоги (замена) для BTD1980J3
BTD1980J3 Datasheet (PDF)
..1. Size:230K cystek
btd1980j3.pdf
btd1980j3.pdf
Spec. No. : C654J3 Issued Date : 2004.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2209.02.04 Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 120VBTD1980J3 IC 4ARCESAT 600m Description The BTD1980J3 is a NPN Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Equivalent Circuit Outline BTD1980J3 TO-252 C
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
