Справочник транзисторов. BTD1980J3

 

Биполярный транзистор BTD1980J3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD1980J3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для BTD1980J3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD1980J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  cystek
 btd1980j3.pdf pdf_icon

BTD1980J3

Spec. No. : C654J3 Issued Date : 2004.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2209.02.04 Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 120VBTD1980J3 IC 4ARCESAT 600m Description The BTD1980J3 is a NPN Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching application. Equivalent Circuit Outline BTD1980J3 TO-252 C

Другие транзисторы... BTD1857AJ3G , BTD1857AL3 , BTD1857AM3 , BTD1857AT3 , BTD1858A3 , BTD1858I3 , BTD1858T3 , BTD1864I3 , TIP31C , BTD2040N3S , BTD2057A3 , BTD2061FP , BTD2098AM3 , BTD2098LN3 , BTD2098M3 , BTD2114N3 , BTD2118LJ3 .

 

 
Back to Top

 


 
.