BTD2510F3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTD2510F3
Código: D2510
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1500
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BTD2510F3
BTD2510F3 Datasheet (PDF)
btd2510f3.pdf
Spec. No. : C603F3 Issued Date : 2011.06.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2510F3 Description The BTD2510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construction with b
btd2568l3.pdf
Spec. No. : C211L3 Issued Date : 2004.11.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.06.04 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2568L3Features High BV , 400V minimum CEO High BV , 550V minimum CBO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD2568L3 SOT-223 CE C BBase B CCollector EEmitter Absolute
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050