Биполярный транзистор BTD2510F3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD2510F3
Маркировка: D2510
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1500
Корпус транзистора: TO-263
Аналоги (замена) для BTD2510F3
BTD2510F3 Datasheet (PDF)
btd2510f3.pdf
Spec. No. : C603F3 Issued Date : 2011.06.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2510F3 Description The BTD2510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construction with b
btd2568l3.pdf
Spec. No. : C211L3 Issued Date : 2004.11.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.06.04 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2568L3Features High BV , 400V minimum CEO High BV , 550V minimum CBO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD2568L3 SOT-223 CE C BBase B CCollector EEmitter Absolute
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
