BTD2568L3 Todos los transistores

 

BTD2568L3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTD2568L3
   Código: CE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 550 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

BTD2568L3 Datasheet (PDF)

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BTD2568L3

Spec. No. : C211L3 Issued Date : 2004.11.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.06.04 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2568L3Features High BV , 400V minimum CEO High BV , 550V minimum CBO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD2568L3 SOT-223 CE C BBase B CCollector EEmitter Absolute

 9.1. Size:241K  cystek
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BTD2568L3

Spec. No. : C603F3 Issued Date : 2011.06.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2510F3 Description The BTD2510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construction with b

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History: RT5P14BC | BSV17-10

 

 
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