BTD2568L3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTD2568L3  📄📄 

Código: CE

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 550 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-223

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BTD2568L3 datasheet

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BTD2568L3

Spec. No. C211L3 Issued Date 2004.11.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.06.04 Page No. 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2568L3 Features High BV , 400V minimum CEO High BV , 550V minimum CBO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD2568L3 SOT-223 C E C B Base B C Collector E Emitter Absolute

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BTD2568L3

Spec. No. C603F3 Issued Date 2011.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2510F3 Description The BTD2510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construction with b

Otros transistores... BTD2195L3, BTD2195M3, BTD2195T3, BTD2444L3, BTD2444N3, BTD2444S3, BTD2498N3, BTD2510F3, A1013, BTD4512F3, BTD5213J3, BTD5213L3, BTD5213M3, BTD5510F3, BTD5765B3, BTD5974B3, BTD6055J3