Справочник транзисторов. BTD2568L3

 

Биполярный транзистор BTD2568L3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD2568L3
   Маркировка: CE
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-223
 

 Аналог (замена) для BTD2568L3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD2568L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:248K  cystek
 btd2568l3.pdf pdf_icon

BTD2568L3

Spec. No. : C211L3 Issued Date : 2004.11.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.06.04 Page No. : 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2568L3Features High BV , 400V minimum CEO High BV , 550V minimum CBO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD2568L3 SOT-223 CE C BBase B CCollector EEmitter Absolute

 9.1. Size:241K  cystek
 btd2510f3.pdf pdf_icon

BTD2568L3

Spec. No. : C603F3 Issued Date : 2011.06.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2510F3 Description The BTD2510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construction with b

Другие транзисторы... BTD2195L3 , BTD2195M3 , BTD2195T3 , BTD2444L3 , BTD2444N3 , BTD2444S3 , BTD2498N3 , BTD2510F3 , 2SD313 , BTD4512F3 , BTD5213J3 , BTD5213L3 , BTD5213M3 , BTD5510F3 , BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 .

 

 
Back to Top

 


 
.