BTD2568L3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTD2568L3  📄📄 

Маркировка: CE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BTD2568L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD2568L3 даташит

 ..1. Size:248K  cystek
 btd2568l3.pdf pdf_icon

BTD2568L3

Spec. No. C211L3 Issued Date 2004.11.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.06.04 Page No. 1/6 High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2568L3 Features High BV , 400V minimum CEO High BV , 550V minimum CBO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTD2568L3 SOT-223 C E C B Base B C Collector E Emitter Absolute

 9.1. Size:241K  cystek
 btd2510f3.pdf pdf_icon

BTD2568L3

Spec. No. C603F3 Issued Date 2011.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD2510F3 Description The BTD2510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construction with b

Другие транзисторы: BTD2195L3, BTD2195M3, BTD2195T3, BTD2444L3, BTD2444N3, BTD2444S3, BTD2498N3, BTD2510F3, A1013, BTD4512F3, BTD5213J3, BTD5213L3, BTD5213M3, BTD5510F3, BTD5765B3, BTD5974B3, BTD6055J3