BTD4512F3 Todos los transistores

 

BTD4512F3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTD4512F3
   Código: D4512
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 54 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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BTD4512F3 Datasheet (PDF)

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BTD4512F3

Spec. No. : C821F3 Issued Date : 2011.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD4512F3 Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features V

Otros transistores... BTD2195M3 , BTD2195T3 , BTD2444L3 , BTD2444N3 , BTD2444S3 , BTD2498N3 , BTD2510F3 , BTD2568L3 , 2N4401 , BTD5213J3 , BTD5213L3 , BTD5213M3 , BTD5510F3 , BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 , BTD6055M3 .

History: FMB200 | AD451

 

 
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