BTD4512F3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTD4512F3
Código: D4512
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 54 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: TO-263
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BTD4512F3 datasheet
btd4512f3.pdf
Spec. No. C821F3 Issued Date 2011.12.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD4512F3 Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features V
Otros transistores... BTD2195M3 , BTD2195T3 , BTD2444L3 , BTD2444N3 , BTD2444S3 , BTD2498N3 , BTD2510F3 , BTD2568L3 , 2SB817 , BTD5213J3 , BTD5213L3 , BTD5213M3 , BTD5510F3 , BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 , BTD6055M3 .
History: BTD1857A3 | 2N181
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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