Справочник транзисторов. BTD4512F3

 

Биполярный транзистор BTD4512F3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD4512F3
   Маркировка: D4512
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 54 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO-263
 

 Аналог (замена) для BTD4512F3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD4512F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  cystek
 btd4512f3.pdf pdf_icon

BTD4512F3

Spec. No. : C821F3 Issued Date : 2011.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD4512F3 Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features V

Другие транзисторы... BTD2195M3 , BTD2195T3 , BTD2444L3 , BTD2444N3 , BTD2444S3 , BTD2498N3 , BTD2510F3 , BTD2568L3 , 2N4401 , BTD5213J3 , BTD5213L3 , BTD5213M3 , BTD5510F3 , BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 , BTD6055M3 .

 

 
Back to Top

 


 
.