Биполярный транзистор BTD4512F3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTD4512F3
Маркировка: D4512
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 54 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO-263
Аналоги (замена) для BTD4512F3
BTD4512F3 Datasheet (PDF)
..1. Size:266K cystek
btd4512f3.pdf
btd4512f3.pdf
Spec. No. : C821F3 Issued Date : 2011.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD4512F3 Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
