BTD4512F3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTD4512F3  📄📄 

Маркировка: D4512

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 54 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO-263

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BTD4512F3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD4512F3 даташит

 ..1. Size:266K  cystek
 btd4512f3.pdf pdf_icon

BTD4512F3

Spec. No. C821F3 Issued Date 2011.12.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD4512F3 Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features V

Другие транзисторы: BTD2195M3, BTD2195T3, BTD2444L3, BTD2444N3, BTD2444S3, BTD2498N3, BTD2510F3, BTD2568L3, 2SB817, BTD5213J3, BTD5213L3, BTD5213M3, BTD5510F3, BTD5765B3, BTD5974B3, BTD6055J3, BTD6055M3