BTD5510F3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTD5510F3  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 3000

Encapsulados: TO-263-3L

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BTD5510F3 datasheet

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BTD5510F3

Spec. No. C658F3 Issued Date 2005.08.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2007.03.28 Page No. 1/4 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5510F3 Description The BTD5510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct

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