BTD5510F3 Todos los transistores

 

BTD5510F3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTD5510F3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 3000
   Paquete / Cubierta: TO-263-3L
     - Selección de transistores por parámetros

 

BTD5510F3 Datasheet (PDF)

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BTD5510F3

Spec. No. : C658F3 Issued Date : 2005.08.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2007.03.28 Page No. : 1/4 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5510F3 Description The BTD5510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BDX83C | BSS56 | 2SB1204

 

 
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