Справочник транзисторов. BTD5510F3

 

Биполярный транзистор BTD5510F3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD5510F3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
   Корпус транзистора: TO-263-3L
 

 Аналог (замена) для BTD5510F3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD5510F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  cystek
 btd5510f3.pdf pdf_icon

BTD5510F3

Spec. No. : C658F3 Issued Date : 2005.08.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2007.03.28 Page No. : 1/4 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5510F3 Description The BTD5510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.