Справочник транзисторов. BTD5510F3

 

Биполярный транзистор BTD5510F3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTD5510F3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
   Корпус транзистора: TO-263-3L
 

 Аналог (замена) для BTD5510F3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD5510F3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  cystek
 btd5510f3.pdf pdf_icon

BTD5510F3

Spec. No. : C658F3 Issued Date : 2005.08.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2007.03.28 Page No. : 1/4 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5510F3 Description The BTD5510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct

Другие транзисторы... BTD2444S3 , BTD2498N3 , BTD2510F3 , BTD2568L3 , BTD4512F3 , BTD5213J3 , BTD5213L3 , BTD5213M3 , S9013 , BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 , BTD6055M3 , BTD7520J3 , BTD7521E3 , BTD7521H8 , BTD7521J3 .

 

 
Back to Top

 


 
.