BTD5510F3 - описание и поиск аналогов

 

BTD5510F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTD5510F3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO-263-3L

 Аналоги (замена) для BTD5510F3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD5510F3 даташит

 ..1. Size:139K  cystek
 btd5510f3.pdf pdf_icon

BTD5510F3

Spec. No. C658F3 Issued Date 2005.08.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2007.03.28 Page No. 1/4 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD5510F3 Description The BTD5510F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construct

Другие транзисторы: BTD2444S3, BTD2498N3, BTD2510F3, BTD2568L3, BTD4512F3, BTD5213J3, BTD5213L3, BTD5213M3, 13005, BTD5765B3, BTD5974B3, BTD6055J3, BTD6055M3, BTD7520J3, BTD7521E3, BTD7521H8, BTD7521J3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.