BTD8530F3 Todos los transistores

 

BTD8530F3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTD8530F3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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BTD8530F3 Datasheet (PDF)

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BTD8530F3

Spec. No. : C603F3 Issued Date : 2010.06.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.10.07 Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD8530F3 Description The BTD8530F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features: High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construc

Otros transistores... BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 , BTD6055M3 , BTD7520J3 , BTD7521E3 , BTD7521H8 , BTD7521J3 , 2222A , BTD9065D3 , BTN3A60T3 , BTN853L3 , BTN1053A3 , BTN1053I3 , BTN1053K3 , BTN1053L3 , BTN1053M3 .

 

 
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