BTD8530F3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTD8530F3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 2000
Encapsulados: TO-263
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BTD8530F3 datasheet
btd8530f3.pdf
Spec. No. C603F3 Issued Date 2010.06.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.07 Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD8530F3 Description The BTD8530F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construc
Otros transistores... BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 , BTD6055M3 , BTD7520J3 , BTD7521E3 , BTD7521H8 , BTD7521J3 , BC549 , BTD9065D3 , BTN3A60T3 , BTN853L3 , BTN1053A3 , BTN1053I3 , BTN1053K3 , BTN1053L3 , BTN1053M3 .
History: ZTX3866 | EN918 | ZTX3904K | 92GU45 | 2N1587 | 2SA1048LG | ZTX3904L
History: ZTX3866 | EN918 | ZTX3904K | 92GU45 | 2N1587 | 2SA1048LG | ZTX3904L
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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