BTD8530F3 - описание и поиск аналогов

 

BTD8530F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTD8530F3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO-263

 Аналоги (замена) для BTD8530F3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD8530F3 даташит

 ..1. Size:263K  cystek
 btd8530f3.pdf pdf_icon

BTD8530F3

Spec. No. C603F3 Issued Date 2010.06.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.10.07 Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar Transistor BTD8530F3 Description The BTD8530F3 is a NPN Darlington transistor, designed for general purpose amplifier and low speed switching application. Features High BVCEO Low VCE(SAT) High current gain Monolithic construc

Другие транзисторы: BTD5765B3, BTD5974B3, BTD6055J3, BTD6055M3, BTD7520J3, BTD7521E3, BTD7521H8, BTD7521J3, BC549, BTD9065D3, BTN3A60T3, BTN853L3, BTN1053A3, BTN1053I3, BTN1053K3, BTN1053L3, BTN1053M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.