BTN853L3 Todos los transistores

 

BTN853L3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTN853L3
   Código: 853
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 75 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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BTN853L3 Datasheet (PDF)

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BTN853L3

Spec. No. : C821L3 Issued Date : 2010.02.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60VID 5.2ABTN853L3 RCESAT(max) 55m Features Extremely low equivalent on resistance; RCE(SAT) 60m at 5.2A 5.2A continuous collector current (10.4A peak) Very low saturation voltages Excellent gain c

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History: BC204V | 2SC1924 | TIP74B | 2SC1938 | BC338-01 | BC131B | 2SA5153

 

 
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