BTN853L3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTN853L3  📄📄 

Маркировка: 853

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BTN853L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN853L3 даташит

 ..1. Size:264K  cystek
 btn853l3.pdf pdf_icon

BTN853L3

Spec. No. C821L3 Issued Date 2010.02.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60V ID 5.2A BTN853L3 RCESAT(max) 55m Features Extremely low equivalent on resistance; RCE(SAT) 60m at 5.2A 5.2A continuous collector current (10.4A peak) Very low saturation voltages Excellent gain c

Другие транзисторы: BTD6055M3, BTD7520J3, BTD7521E3, BTD7521H8, BTD7521J3, BTD8530F3, BTD9065D3, BTN3A60T3, BC556, BTN1053A3, BTN1053I3, BTN1053K3, BTN1053L3, BTN1053M3, BTN1101E3, BTN2222A3, BTN2222AL3