Биполярный транзистор BTN853L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTN853L3
Маркировка: 853
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-223
BTN853L3 Datasheet (PDF)
..1. Size:264K cystek
btn853l3.pdf
btn853l3.pdf
Spec. No. : C821L3 Issued Date : 2010.02.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60VID 5.2ABTN853L3 RCESAT(max) 55m Features Extremely low equivalent on resistance; RCE(SAT) 60m at 5.2A 5.2A continuous collector current (10.4A peak) Very low saturation voltages Excellent gain c
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050