Биполярный транзистор BTN853L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTN853L3
Маркировка: 853
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-223
BTN853L3 Datasheet (PDF)
..1. Size:264K cystek
btn853l3.pdf
btn853l3.pdf
Spec. No. : C821L3 Issued Date : 2010.02.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60VID 5.2ABTN853L3 RCESAT(max) 55m Features Extremely low equivalent on resistance; RCE(SAT) 60m at 5.2A 5.2A continuous collector current (10.4A peak) Very low saturation voltages Excellent gain c
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
