BTN1101E3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTN1101E3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 130 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO-220AB
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BTN1101E3 datasheet
btn1101e3.pdf
Spec. No. C606E3-A Issued Date 2005.01.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2008.01.30 Page No. 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN1101E3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTN1101E3 TO-220AB B Base C Collector E Emitter B C E Absolute M
Otros transistores... BTD9065D3 , BTN3A60T3 , BTN853L3 , BTN1053A3 , BTN1053I3 , BTN1053K3 , BTN1053L3 , BTN1053M3 , 2N2907 , BTN2222A3 , BTN2222AL3 , BTN2222AN3 , BTN2369A3 , BTN2369N3 , BTN2369S3 , BTN3501E3 , BTN3501F3 .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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