BTN1101E3 Todos los transistores

 

BTN1101E3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTN1101E3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 130 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BTN1101E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  cystek
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BTN1101E3

Spec. No. : C606E3-A Issued Date : 2005.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2008.01.30 Page No. : 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN1101E3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTN1101E3 TO-220AB BBase CCollector EEmitter B C E Absolute M

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: DTA114TUA | IDI8005 | KT3151A9 | 2SD2646

 

 
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