BTN1101E3 - описание и поиск аналогов

 

BTN1101E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTN1101E3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-220AB

 Аналоги (замена) для BTN1101E3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN1101E3 даташит

 ..1. Size:134K  cystek
 btn1101e3.pdf pdf_icon

BTN1101E3

Spec. No. C606E3-A Issued Date 2005.01.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2008.01.30 Page No. 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN1101E3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTN1101E3 TO-220AB B Base C Collector E Emitter B C E Absolute M

Другие транзисторы: BTD9065D3, BTN3A60T3, BTN853L3, BTN1053A3, BTN1053I3, BTN1053K3, BTN1053L3, BTN1053M3, 2N2907, BTN2222A3, BTN2222AL3, BTN2222AN3, BTN2369A3, BTN2369N3, BTN2369S3, BTN3501E3, BTN3501F3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.