Справочник транзисторов. BTN1101E3

 

Биполярный транзистор BTN1101E3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTN1101E3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BTN1101E3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN1101E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  cystek
 btn1101e3.pdf pdf_icon

BTN1101E3

Spec. No. : C606E3-A Issued Date : 2005.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2008.01.30 Page No. : 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN1101E3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTN1101E3 TO-220AB BBase CCollector EEmitter B C E Absolute M

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.