BTN5551A3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTN5551A3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 52
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BTN5551A3
BTN5551A3 Datasheet (PDF)
btn5551a3.pdf
Spec. No. : C208A3 Issued Date : 2003.06.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.02 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551A3Description The BTN5551A3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BT
btn5551k3.pdf
Spec. No. : C208K3 Issued Date : 2012.06.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.02 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551K3Features High breakdown voltage, BV 160V CEO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTN5551K3 TO-92L BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Paramete
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
