BTN5551A3 - описание и поиск аналогов

 

BTN5551A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTN5551A3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 52

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для BTN5551A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN5551A3 даташит

 ..1. Size:257K  cystek
 btn5551a3.pdf pdf_icon

BTN5551A3

Spec. No. C208A3 Issued Date 2003.06.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.02 Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551A3 Description The BTN5551A3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BT

 7.1. Size:237K  cystek
 btn5551k3.pdf pdf_icon

BTN5551A3

Spec. No. C208K3 Issued Date 2012.06.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.02 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551K3 Features High breakdown voltage, BV 160V CEO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTN5551K3 TO-92L B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Paramete

Другие транзисторы: BTN2369S3, BTN3501E3, BTN3501F3, BTN3501I3, BTN3501J3, BTN3904A3, BTN3904N3, BTN3904S3, BDT88, BTN5551K3, BTN6427N3, BTN6718A3, BTN6718D3, BTN8050A3, BTN8050BA3, BTN13003D3, BTN13003T3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.