Справочник транзисторов. BTN5551A3

 

Биполярный транзистор BTN5551A3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTN5551A3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 52
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для BTN5551A3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN5551A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  cystek
 btn5551a3.pdf pdf_icon

BTN5551A3

Spec. No. : C208A3 Issued Date : 2003.06.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.02 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551A3Description The BTN5551A3 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltage. Features High collector-emitter breakdown voltage. (BV =160V @ I =1mA) CEO C Complement to BT

 7.1. Size:237K  cystek
 btn5551k3.pdf pdf_icon

BTN5551A3

Spec. No. : C208K3 Issued Date : 2012.06.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.02 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN5551K3Features High breakdown voltage, BV 160V CEO Pb-free lead plating package Symbol Outline BTN5551K3 TO-92L BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Paramete

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SD334A | BTD9065D3 | HA21G | 2N2060M | KT325B | LBC807-40LT3G

 

 
Back to Top

 


 
.