BTN6427N3 Todos los transistores

 

BTN6427N3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTN6427N3
   Código: 1N
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10000
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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BTN6427N3 Datasheet (PDF)

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BTN6427N3

Spec. No. : C214N3-A Issued Date : 2005.11.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.23 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6427N3Description The BTN6427N3 is a darlington amplifier transistor Pb-free package. Equivalent Circuit Outline BTN6427N3 SOT-23 C B E BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum

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