Справочник транзисторов. BTN6427N3

 

Биполярный транзистор BTN6427N3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTN6427N3
   Маркировка: 1N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: SOT-23
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN6427N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  cystek
 btn6427n3.pdf pdf_icon

BTN6427N3

Spec. No. : C214N3-A Issued Date : 2005.11.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.04.23 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6427N3Description The BTN6427N3 is a darlington amplifier transistor Pb-free package. Equivalent Circuit Outline BTN6427N3 SOT-23 C B E BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum

Другие транзисторы... BTN3501F3 , BTN3501I3 , BTN3501J3 , BTN3904A3 , BTN3904N3 , BTN3904S3 , BTN5551A3 , BTN5551K3 , TIP41C , BTN6718A3 , BTN6718D3 , BTN8050A3 , BTN8050BA3 , BTN13003D3 , BTN13003T3 , BTNA06N3 , BTNA14A3 .

History: BUH415DXI

 

 
Back to Top

 


 
.