BTN6427N3 - описание и поиск аналогов

 

BTN6427N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTN6427N3

Маркировка: 1N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10000

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для BTN6427N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN6427N3 даташит

 ..1. Size:254K  cystek
 btn6427n3.pdf pdf_icon

BTN6427N3

Spec. No. C214N3-A Issued Date 2005.11.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.04.23 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6427N3 Description The BTN6427N3 is a darlington amplifier transistor Pb-free package. Equivalent Circuit Outline BTN6427N3 SOT-23 C B E B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum

Другие транзисторы: BTN3501F3, BTN3501I3, BTN3501J3, BTN3904A3, BTN3904N3, BTN3904S3, BTN5551A3, BTN5551K3, BC547, BTN6718A3, BTN6718D3, BTN8050A3, BTN8050BA3, BTN13003D3, BTN13003T3, BTNA06N3, BTNA14A3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.