BTN6718A3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTN6718A3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.85 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO-92
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BTN6718A3 datasheet
btn6718a3.pdf
Spec. No. C823A3 Issued Date 2006.10.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6718A3 Description The BTN6718A3 is designed for general purpose medium power amplifier and switching applications. Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =100V (min.) CEO High collector current,
btn6718d3.pdf
Spec. No. C319D3 Issued Date 2008.05.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6718D3 Features High breakdown voltage, BV 100V CEO Large continuous collector current capability, I =1A(DC) C(MAX) Low collector saturation voltage Pb-free package Symbol Outline BTN6718D3 TO-126ML
Otros transistores... BTN3501I3 , BTN3501J3 , BTN3904A3 , BTN3904N3 , BTN3904S3 , BTN5551A3 , BTN5551K3 , BTN6427N3 , 2SC5200 , BTN6718D3 , BTN8050A3 , BTN8050BA3 , BTN13003D3 , BTN13003T3 , BTNA06N3 , BTNA14A3 , BTNA14N3 .
History: ED8550C
History: ED8550C
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