Биполярный транзистор BTN6718A3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTN6718A3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.85 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для BTN6718A3
BTN6718A3 Datasheet (PDF)
btn6718a3.pdf
Spec. No. : C823A3 Issued Date : 2006.10.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6718A3Description The BTN6718A3 is designed for general purpose medium power amplifier and switching applications. Features Low collector saturation voltage High breakdown voltage, V =100V (min.) CEO High collector current,
btn6718d3.pdf
Spec. No. : C319D3 Issued Date : 2008.05.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN6718D3Features High breakdown voltage, BV 100V CEO Large continuous collector current capability, I =1A(DC) C(MAX) Low collector saturation voltage Pb-free package Symbol Outline BTN6718D3 TO-126ML
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
