BTNA06N3 Todos los transistores

 

BTNA06N3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTNA06N3
   Código: 1G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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BTNA06N3 Datasheet (PDF)

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BTNA06N3

Spec. No. : C216N3 Issued Date : 2003.10.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.10.25 Page No. : 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA06N3Description The BTNA06N3 is designed for use in general purpose amplification and switching application. High current , I = 0.5A C Low V , V = 0.25V(typ.) at I /I = 100mA/10mA CE(sat) CE(sat) C B

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