BTNA06N3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTNA06N3
Código: 1G
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de BTNA06N3
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BTNA06N3 datasheet
btna06n3.pdf
Spec. No. C216N3 Issued Date 2003.10.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.25 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA06N3 Description The BTNA06N3 is designed for use in general purpose amplification and switching application. High current , I = 0.5A C Low V , V = 0.25V(typ.) at I /I = 100mA/10mA CE(sat) CE(sat) C B
Otros transistores... BTN5551K3 , BTN6427N3 , BTN6718A3 , BTN6718D3 , BTN8050A3 , BTN8050BA3 , BTN13003D3 , BTN13003T3 , C945 , BTNA14A3 , BTNA14N3 , BTNA42A3 , BTNA44A3 , BTNA44M3 , BTNA44N3 , BTNA45A3 , BTNA45N3 .
History: AC106 | 2SB944 | 2SA1215P
History: AC106 | 2SB944 | 2SA1215P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet