BTNA06N3 - описание и поиск аналогов

 

BTNA06N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTNA06N3

Маркировка: 1G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для BTNA06N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTNA06N3 даташит

 ..1. Size:250K  cystek
 btna06n3.pdf pdf_icon

BTNA06N3

Spec. No. C216N3 Issued Date 2003.10.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.25 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA06N3 Description The BTNA06N3 is designed for use in general purpose amplification and switching application. High current , I = 0.5A C Low V , V = 0.25V(typ.) at I /I = 100mA/10mA CE(sat) CE(sat) C B

Другие транзисторы: BTN5551K3, BTN6427N3, BTN6718A3, BTN6718D3, BTN8050A3, BTN8050BA3, BTN13003D3, BTN13003T3, C945, BTNA14A3, BTNA14N3, BTNA42A3, BTNA44A3, BTNA44M3, BTNA44N3, BTNA45A3, BTNA45N3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.