BTNH10N3 Todos los transistores

 

BTNH10N3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTNH10N3
   Código: 3E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 650 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 52
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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BTNH10N3 Datasheet (PDF)

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BTNH10N3

Spec. No. : C201N3-H Issued Date : 2005.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 VHF/UHF NPN Epitaxial Planar Transistor BTNH10N3 Description The BTNH10N3 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. Features High transition frequency. Very low capacitance. Small Rbb-Cc and high current gain.

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BTNH10N3

Spec. No. : C201A3-H Issued Date : 2003.11.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.13 Page No. : 1/6 VHF/UHF NPN Epitaxial Planar Transistor BTNH10A3 Description The BTNH10A3 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. Features High transition frequency. Very low capacitance. Small Rbb-Cc and high curren

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History: 2SC89H | 2SD2635

 

 
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