Биполярный транзистор BTNH10N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTNH10N3
Маркировка: 3E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 52
Корпус транзистора: SOT-23
BTNH10N3 Datasheet (PDF)
btnh10n3.pdf
Spec. No. : C201N3-H Issued Date : 2005.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 VHF/UHF NPN Epitaxial Planar Transistor BTNH10N3 Description The BTNH10N3 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. Features High transition frequency. Very low capacitance. Small Rbb-Cc and high current gain.
btnh10a3.pdf
Spec. No. : C201A3-H Issued Date : 2003.11.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.11.13 Page No. : 1/6 VHF/UHF NPN Epitaxial Planar Transistor BTNH10A3 Description The BTNH10A3 is designed for use in VHF & UHF oscillators and VHF mixer in tuner of a TV receiver. Features High transition frequency. Very low capacitance. Small Rbb-Cc and high curren
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS