BTP5401A3 Todos los transistores

 

BTP5401A3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTP5401A3

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO-92

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BTP5401A3 datasheet

 ..1. Size:153K  cystek
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BTP5401A3

Spec. No. C307A3 Issued Date 2003.06.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP5401A3 Description The BTP5401A3 is designed for general purpose amplification. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -150V Complementary to BTN5551A3. Symbol Outline BTP5401A3 TO-92 B Base

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History: 2SB1118 | LBC558AP | DXT5551

 

 

 

 

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