BTP5401A3 - описание и поиск аналогов

 

BTP5401A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTP5401A3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для BTP5401A3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTP5401A3 даташит

 ..1. Size:153K  cystek
 btp5401a3.pdf pdf_icon

BTP5401A3

Spec. No. C307A3 Issued Date 2003.06.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTP5401A3 Description The BTP5401A3 is designed for general purpose amplification. Large IC , IC( Max) = -0.6A High BVCEO, BVCEO= -150V Complementary to BTN5551A3. Symbol Outline BTP5401A3 TO-92 B Base

Другие транзисторы: BTP1955L3, BTP2014L3, BTP2907A3, BTP2907AL3, BTP2907AN3, BTP2907SL3, BTP3906A3, BTP3906N3, 13003, BTP8550A3, BTP8550BA3, BTP8550N3, BTP9050N3, BTPA56N3, BTPA92A3, BTPA94A3, BTPA94N3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.