BTP9050N3 Todos los transistores

 

BTP9050N3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTP9050N3
   Código: LL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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BTP9050N3 Datasheet (PDF)

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BTP9050N3

Spec. No. : C619N3 Issued Date : 2012.08.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTP9050N3Description High breakdown voltage. (BV =-500V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.11V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Complementary to BTNA45N3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symb

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History: ET5062

 

 
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