BTP9050N3 - описание и поиск аналогов

 

BTP9050N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTP9050N3

Маркировка: LL

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для BTP9050N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTP9050N3 даташит

 ..1. Size:275K  cystek
 btp9050n3.pdf pdf_icon

BTP9050N3

Spec. No. C619N3 Issued Date 2012.08.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTP9050N3 Description High breakdown voltage. (BV =-500V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.11V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Complementary to BTNA45N3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symb

Другие транзисторы: BTP2907AN3, BTP2907SL3, BTP3906A3, BTP3906N3, BTP5401A3, BTP8550A3, BTP8550BA3, BTP8550N3, BC327, BTPA56N3, BTPA92A3, BTPA94A3, BTPA94N3, BU941ZE3, BU941ZF3, BU941ZFP, BU941ZLE3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.