Биполярный транзистор BTP9050N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTP9050N3
Маркировка: LL
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для BTP9050N3
BTP9050N3 Datasheet (PDF)
..1. Size:275K cystek
btp9050n3.pdf
btp9050n3.pdf
Spec. No. : C619N3 Issued Date : 2012.08.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor BTP9050N3Description High breakdown voltage. (BV =-500V) CEO Low saturation voltage, typical V =-0.11V at Ic/I =-20mA/-2mA. CE(sat) B Complementary to BTNA45N3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symb
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
