BTPA56N3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTPA56N3
Código: 2G
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT-23
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BTPA56N3 datasheet
btpa56n3.pdf
Spec. No. C217N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.06.26 Revised Date Page No. 1/8 PNP Epitaxial Planar Transistor BTPA56N3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.07 V (typ), at IC / IB = -100mA / -10mA Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline SOT-23 BTPA56N3 B Base C Collector
Otros transistores... BTP2907SL3 , BTP3906A3 , BTP3906N3 , BTP5401A3 , BTP8550A3 , BTP8550BA3 , BTP8550N3 , BTP9050N3 , A733 , BTPA92A3 , BTPA94A3 , BTPA94N3 , BU941ZE3 , BU941ZF3 , BU941ZFP , BU941ZLE3 , BU941ZP3 .
History: MJE3055T | MJE30A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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