BTPA56N3 - описание и поиск аналогов

 

BTPA56N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTPA56N3

Маркировка: 2G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для BTPA56N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTPA56N3 даташит

 ..1. Size:277K  cystek
 btpa56n3.pdf pdf_icon

BTPA56N3

Spec. No. C217N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.06.26 Revised Date Page No. 1/8 PNP Epitaxial Planar Transistor BTPA56N3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.07 V (typ), at IC / IB = -100mA / -10mA Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline SOT-23 BTPA56N3 B Base C Collector

Другие транзисторы: BTP2907SL3, BTP3906A3, BTP3906N3, BTP5401A3, BTP8550A3, BTP8550BA3, BTP8550N3, BTP9050N3, A733, BTPA92A3, BTPA94A3, BTPA94N3, BU941ZE3, BU941ZF3, BU941ZFP, BU941ZLE3, BU941ZP3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.