FBP5096G3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FBP5096G3

Código: TE

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 2.5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 9000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 82

Encapsulados: WEFBP-03A

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FBP5096G3 datasheet

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FBP5096G3

Spec. No. C212G3 Issued Date 2006.07.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.10.03 Page No. 1/9 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor FBP5096G3 Description The FBP5096G3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline FBP5096G3 WBFBP-03A B Base C Collector E Emitter Feature

Otros transistores... BU941ZFP, BU941ZLE3, BU941ZP3, D44H11E3, D44H11J3, D45H11E3, D45H11J3, DTA144WS3, TIP31, HBA1873S5, HBA8573S6R, HBC8471S6R, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R