FBP5096G3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FBP5096G3

Маркировка: TE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: WEFBP-03A

 Аналоги (замена) для FBP5096G3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FBP5096G3 даташит

 ..1. Size:274K  cystek
 fbp5096g3.pdf pdf_icon

FBP5096G3

Spec. No. C212G3 Issued Date 2006.07.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.10.03 Page No. 1/9 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor FBP5096G3 Description The FBP5096G3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline FBP5096G3 WBFBP-03A B Base C Collector E Emitter Feature

Другие транзисторы: BU941ZFP, BU941ZLE3, BU941ZP3, D44H11E3, D44H11J3, D45H11E3, D45H11J3, DTA144WS3, TIP31, HBA1873S5, HBA8573S6R, HBC8471S6R, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R