Справочник транзисторов. FBP5096G3

 

Биполярный транзистор FBP5096G3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FBP5096G3
   Маркировка: TE
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: WEFBP-03A
 

 Аналог (замена) для FBP5096G3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FBP5096G3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  cystek
 fbp5096g3.pdf pdf_icon

FBP5096G3

Spec. No. : C212G3 Issued Date : 2006.07.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2006.10.03 Page No. : 1/9 High Cutoff Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor FBP5096G3 Description The FBP5096G3 is a NPN Silicon Transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Symbol Outline FBP5096G3 WBFBP-03A BBase CCollector EEmitter Feature

Другие транзисторы... BU941ZFP , BU941ZLE3 , BU941ZP3 , D44H11E3 , D44H11J3 , D45H11E3 , D45H11J3 , DTA144WS3 , 2SD2499 , HBA1873S5 , HBA8573S6R , HBC8471S6R , HBC8472S6R , HBN2411S6R , HBN2412C6 , HBN2412S6R , HBN2444S6R .

History: 2SC3504F | BC550CTA | 2SC3509 | BUW11AW | BFT87 | 2SC779

 

 
Back to Top

 


 
.