HBA8573S6R Todos los transistores

 

HBA8573S6R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HBA8573S6R
   Código: BL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
 

 Búsqueda de reemplazo de HBA8573S6R

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HBA8573S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  cystek
hba8573s6r.pdf pdf_icon

HBA8573S6R

Spec. No. : C306S6R Issued Date : 2010.03.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.02.22 Page No. : 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBA8573S6R Features Two BTA1037 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Otros transistores... BU941ZP3 , D44H11E3 , D44H11J3 , D45H11E3 , D45H11J3 , DTA144WS3 , FBP5096G3 , HBA1873S5 , BC558 , HBC8471S6R , HBC8472S6R , HBN2411S6R , HBN2412C6 , HBN2412S6R , HBN2444S6R , HBN2515S6R , HBN3101S6R .

 

 
Back to Top

 


 
.