HBA8573S6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBA8573S6R

Código: BL

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-363R

 Búsqueda de reemplazo de HBA8573S6R

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HBA8573S6R datasheet

 ..1. Size:249K  cystek
 hba8573s6r.pdf pdf_icon

HBA8573S6R

Spec. No. C306S6R Issued Date 2010.03.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.02.22 Page No. 1/6 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBA8573S6R Features Two BTA1037 chips in a SOT-363R package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference.

Otros transistores... BU941ZP3, D44H11E3, D44H11J3, D45H11E3, D45H11J3, DTA144WS3, FBP5096G3, HBA1873S5, 2SD313, HBC8471S6R, HBC8472S6R, HBN2411S6R, HBN2412C6, HBN2412S6R, HBN2444S6R, HBN2515S6R, HBN3101S6R